Transistor de canal N IRFP048NPBF, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Transistor de canal N IRFP048NPBF, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.63€
5-24
2.28€
25-49
2.06€
50+
1.87€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 83

Transistor de canal N IRFP048NPBF, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1900pF. Custo): 620pF. Diodo Trr (mín.): 94 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 210A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP048NPBF
30 parâmetros
DI (T=100°C)
45A
DI (T=25°C)
64A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.016 Ohms
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1900pF
Custo)
620pF
Diodo Trr (mín.)
94 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
210A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
140W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
32 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET ® Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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