Transistor de canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V

Transistor de canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V

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Transistor de canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. C (pol.): 1500pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1500pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Custo): 450pF. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: PowerMOSFET. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 53A. Id(im): 180A. Marcação do fabricante: IRFP044N. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51

Documentação técnica (PDF)
IRFP044N
39 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
55V
DI (T=100°C)
37A
DI (T=25°C)
53A
Idss
25uA
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.02 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
43 ns
C (pol.)
1500pF
Capacitância Ciss Gate [pF]
1500pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ 29A
Custo)
450pF
Diodo Trr (mín.)
72 ns
Dissipação máxima Ptot [W]
120W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
Função
PowerMOSFET
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
53A
Id(im)
180A
Marcação do fabricante
IRFP044N
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
120W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
43 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
HEXFET
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
12 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
International Rectifier

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