Transistor de canal N IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. C (pol.): 660pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 660pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Custo): 230pF. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação de alta velocidade. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 3.7A. IDss (min): 25uA. Id(im): 30A. Marcação do fabricante: FL4105. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.1 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51