Transistor de canal N IRFL110PBF, SOT-223, 100V. Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 1.5A. Marcação do fabricante: FL110. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27