Transistor de canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V

Transistor de canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V

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Transistor de canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Carcaça: SOT-223. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 400pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 2.8A. Marcação do fabricante: FL024N. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06

Documentação técnica (PDF)
IRFL024NPBF
16 parâmetros
Carcaça
SOT-223
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
22 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
400pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.075 Ohms @ 2.8A
Dissipação máxima Ptot [W]
2.1W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
2.8A
Marcação do fabricante
FL024N
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
8.1 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
International Rectifier