Transistor de canal N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 400pF. Custo): 145pF. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Equivalentes: IRFL024NPBF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 11.2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 22.2 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51