Transistor de canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Transistor de canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.68€
5-24
1.46€
25-49
1.30€
50-99
1.20€
100+
1.05€
Quantidade em estoque: 24

Transistor de canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 54W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

IRFI540NPBF
30 parâmetros
DI (T=100°C)
14A
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.052 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220 FULLPAK
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1400pF
Custo)
330pF
Diodo Trr (mín.)
170 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
110A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
54W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
44 ns
Td(ligado)
8.2 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier