Transistor de canal N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Carcaça: DIP. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. C (pol.): 22pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 260pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Custo): 53pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.8A. IDss (min): 25uA. Id(im): 6.4A. Marcação do fabricante: IRFD220PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43