Transistor de canal N IRFD220, DIP4. Carcaça: DIP4. Cobrar: 14nC. Corrente de drenagem: 0.5A. 800mA. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 1W. RoHS: sim. Tensão da fonte de drenagem: 200V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 04:39