Transistor de canal N IRFD210, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 4.8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43