Transistor de canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor de canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Carcaça: DIP. DI (T=100°C): 0.71A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Cobrar: 8.3nC. Corrente de drenagem: 700mA, 0.71A. Custo): 81pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 8A. Marcação do fabricante: IRFD110PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Polaridade: unipolar. Potência: 1.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43