Transistor de canal N IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 310pF. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: td(on) 10ns, td(off) 13ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 14A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43