Transistor de canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V

Transistor de canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V

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2.72€
Quantidade em estoque: 147

Transistor de canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 3.6A. Marcação do fabricante: IRFBF30PBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22

Documentação técnica (PDF)
IRFBF30PBF
16 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
900V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
90 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1200pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 2.2A
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
3.6A
Marcação do fabricante
IRFBF30PBF
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
Vishay (ir)