Transistor de canal N IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 650V. Função: Dynamic dv/dt Rating. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43