Transistor de canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor de canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantidade
Preço unitário
1-9
3.60€
10-24
3.31€
25-49
3.02€
50-99
2.74€
100+
2.28€
Quantidade em estoque: 10

Transistor de canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1750pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 155pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: para aplicações de amplificador de áudio classe D. IDss (min): 20uA. Id(im): 140A. Marcação na caixa: IRFB5615PbF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 144W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 17.2ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

IRFB5615PBF
32 parâmetros
DI (T=100°C)
25A
DI (T=25°C)
35A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.032 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
150V
C (pol.)
1750pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
155pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Função
para aplicações de amplificador de áudio classe D
IDss (min)
20uA
Id(im)
140A
Marcação na caixa
IRFB5615PbF
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
144W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
17.2ns
Td(ligado)
8.9 ns
Tecnologia
MOSFET de áudio digital
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier