Transistor de canal N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.00€
5-24
4.27€
25-49
3.86€
50-99
3.61€
100+
3.19€
Quantidade em estoque: 155

Transistor de canal N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 5.6M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 7670pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 540pF. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. IDss (min): 20uA. Id(im): 550A. Marcação na caixa: IRFB4310. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

IRFB4310PBF
33 parâmetros
DI (T=100°C)
92A
DI (T=25°C)
130A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
5.6M Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
7670pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
540pF
Diodo Trr (mín.)
45 ns
Função
Conversores DC-DC de alta frequência
IDss (min)
20uA
Id(im)
550A
Marcação na caixa
IRFB4310
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
68 ns
Td(ligado)
26 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier