Transistor de canal N IRFB42N20DPBF, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 97A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.072 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 4820pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 340pF. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Função: Comutação de energia de alta velocidade. IDss (min): 20uA. Id(im): 390A. Marcação na caixa: IRFB4410ZPBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43