Transistor de canal N IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 38m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Função: Amplificador de áudio classe D 300W-500W (meia ponte). IDss (min): 20uA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43