Transistor de canal N IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0093 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 5270pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 490pF. Diodo Trr (mín.): 86 ns. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. IDss (min): 20uA. Id(im): 420A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. Peso: 1.99g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 41 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43