Transistor de canal N IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 3.7m Ohms. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 9620pF. Características: -. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente máxima de drenagem: 120A. Custo): 670pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: Chave PDP. IDss (min): 20uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 180A. Id(im): 670A. Informação: -. MSL: -. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. Peso: 1.99g. Polaridade: MOSFET N. Potência: 370W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Rds em (max) @ id, vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: sim. Série: HEXFET. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 78 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de condução: 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43