Transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.30€
5-24
1.98€
25-49
1.75€
50-99
1.59€
100+
1.37€
Quantidade em estoque: 49

Transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 80m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 91pF. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Função: Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D. IDss (min): 20uA. Id(im): 52A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7.8 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.9V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRFB4020
32 parâmetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
80m Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
1200pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
91pF
Diodo Trr (mín.)
82 ns
Função
Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D
IDss (min)
20uA
Id(im)
52A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
100W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
16 ns
Td(ligado)
7.8 ns
Tecnologia
MOSFET de áudio digital
Temperatura operacional
-40...+175°C
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
4.9V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier