Transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.21€
5-24
1.92€
25-49
1.68€
50-99
1.53€
100+
1.31€
Quantidade em estoque: 122

Transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 80m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 800pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 74pF. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Função: Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D. IDss (min): 20uA. Id(im): 51A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRFB4019
32 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
80m Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
150V
C (pol.)
800pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
74pF
Diodo Trr (mín.)
64 ns
Função
Parâmetros principais otimizados para áudio Classe D
IDss (min)
20uA
Id(im)
51A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
80W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
12 ns
Td(ligado)
7 ns
Tecnologia
MOSFET de áudio digital
Temperatura operacional
-40...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4.9V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier