Transistor de canal N IRFB3607PBF, TO220AB. Carcaça: TO220AB. : aprimorado. Cobrar: 56nC. Corrente de drenagem: 80A. Embalagem: tubus. Montagem/instalação: THT. Polaridade: unipolar. Potência: 140W. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 75V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/11/2025, 09:02