Transistor de canal N IRFB3307Z, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 90A. DI (T=25°C): 128A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 4750pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 420pF. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. IDss (min): 20uA. Id(im): 512A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43