Transistor de canal N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V
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Transistor de canal N IRFB3306PBF, 60V, 3.3M Ohms, TO-220, 110A, 160A, 250uA, TO-220AB, 60V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 4520pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente máxima de drenagem: 160A. Custo): 500pF. Diodo Trr (mín.): 31 ns. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. IDss (min): 20uA. Id(im): 620A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Potência: 230W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43