Transistor de canal N IRFB260N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4220pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 580pF. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. IDss (min): 25uA. Id(im): 220A. Marcação na caixa: FB260N. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43