Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N

Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB260N. Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4220pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 220A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB260N. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 18:25.