Transistor de canal N IRFB20N50K, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2870pF. Custo): 3480pF. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 50uA. Id(im): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43