Transistor de canal N IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 3.5A/-2.3A. Marcação do fabricante: F9952Q. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:45