Transistor de canal N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Diodo Trr (mín.): 12 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 88A. Marcação na caixa: IRF8707G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43