Transistor de canal N IRF840ASPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 8A. Marcação do fabricante: IRF840ASPBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:45