Transistor de canal N IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Diodo Trr (mín.): 422 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 32A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43