Transistor de canal N IRF840APBF, TO-220AB, 500V

Transistor de canal N IRF840APBF, TO-220AB, 500V

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Preço unitário
1-9
3.63€
10+
2.52€
Quantidade em estoque: 168

Transistor de canal N IRF840APBF, TO-220AB, 500V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 8A. Marcação do fabricante: IRF840APBF. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06

Documentação técnica (PDF)
IRF840APBF
16 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
500V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
26 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1018pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.85 Ohms @ 4.8A
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
8A
Marcação do fabricante
IRF840APBF
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
11 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
Vishay (ir)