Transistor de canal N IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1300pF. Cobrar: 63nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 8A, 5.1A. Custo): 310pF. Diodo Trr (mín.): 460 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 32A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Polaridade: unipolar. Potência: 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.85 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 500V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43