Transistor de canal N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 620 ns. Custo): 93 ns. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). IDss (min): 25uA. Id(im): 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +105°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43