Transistor de canal N IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 360pF. Custo): 92pF. Diodo Trr (mín.): 260 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43