Transistor de canal N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Diodo Trr (mín.): 31us. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. IDss (min): 1uA. Id(im): 88A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43