Transistor de canal N IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. IDss (min): 30uA. Id(im): 66A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43