Transistor de canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v
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Transistor de canal N IRF7455PBF, SO8, 30 v. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3480pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 15A. Marcação do fabricante: F7455. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42
IRF7455PBF
16 parâmetros
Carcaça
SO8
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
30 v
Atraso de desligamento tf[nsec.]
51 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
3480pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0075 Ohms @ 15A
Dissipação máxima Ptot [W]
2.5W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
15A
Marcação do fabricante
F7455
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
17 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier