Transistor de canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1210pF. Cobrar: 9.5nC. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente de drenagem: 13A. Custo): 270pF. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Função: Impedância de porta ultrabaixa. IDss (min): 1uA. Id(im): 100A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Polaridade: unipolar. Potência: 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 10M Ohms. Resistência térmica: 50K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 95. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43