Transistor de canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1600pF. Custo): 680pF. Diodo Trr (mín.): 74 ns. IDss (min): 12uA. Id(im): 58A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Chipcad. Quantidade em estoque atualizada em 02/01/2026, 17:29