Transistor de canal N IRF740PBF, TO220AB, 400V, 400V, 400V

Transistor de canal N IRF740PBF, TO220AB, 400V, 400V, 400V

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Transistor de canal N IRF740PBF, TO220AB, 400V, 400V, 400V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 400V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Corrente máxima de drenagem: 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 10A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 10A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRF740PBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Polaridade: MOSFET N. Potência: 125W. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06

Documentação técnica (PDF)
IRF740PBF
28 parâmetros
Carcaça
TO220AB
Vdss (dreno para tensão da fonte)
400V
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
400V
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
400V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
50 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1400pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.55 Ohms @ 6A
Corrente máxima de drenagem
10A
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
10A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
10A
Marcação do fabricante
IRF740PBF
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Polaridade
MOSFET N
Potência
125W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
Vishay (ir)