Transistor de canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Transistor de canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.61€
5-24
1.38€
25-49
1.23€
50-99
1.14€
100+
1.01€
Quantidade em estoque: 339

Transistor de canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1400pF. Cobrar: 36nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 10A, 6.3A. Custo): 330pF. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Função: Transistor MOSFET de potência de comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 40A. Marcação do fabricante: IRF740PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Polaridade: unipolar. Potência: 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.55 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 400V. Tensão de fonte de porta: ±30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRF740
41 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
6.3A
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.55 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
400V
C (pol.)
1400pF
Cobrar
36nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
10A, 6.3A
Custo)
330pF
Diodo Trr (mín.)
370 ns
Função
Transistor MOSFET de potência de comutação rápida
IDss (min)
25uA
Id(im)
40A
Marcação do fabricante
IRF740PBF
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Polaridade
unipolar
Potência
125W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
0.55 Ohms
RoHS
sim
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
V-MOS
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
400V
Tensão de fonte de porta
±30V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2V
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
4 v
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Produto original do fabricante
Vishay