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Transistor de canal N IRF7341, 55V, SO8, SO-8
Quantidade
Preço unitário
1-4
0.96€
5-49
0.73€
50-94
0.69€
95+
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Transistor de canal N IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça: SO8. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Características: -. Condicionamento: tubo de plástico. Função: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 4.7A. Informação: -. MSL: -. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Polaridade: MOSFET N. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Série: HEXFET. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão de condução: -. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: SMD. Unidade de condicionamento: 95. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43
IRF7341
19 parâmetros
Vdss (dreno para tensão da fonte)
55V
Carcaça
SO8
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Condicionamento
tubo de plástico
Função
tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
4.7A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
2W
Polaridade
MOSFET N
Quantidade por caixa
2
RoHS
sim
Série
HEXFET
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montagem
SMD
Unidade de condicionamento
95
Produto original do fabricante
International Rectifier