Transistor de canal N IRF7313, SO, SO-8
Quantidade
Preço unitário
1-4
0.97€
5-49
0.81€
50-99
0.71€
100-199
0.64€
200+
0.55€
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Transistor de canal N IRF7313, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Cobrar: 22nC. Corrente de drenagem: 6.5A. Equivalentes: IRF7313PBF. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Quantidade por caixa: 2. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 16/02/2026, 07:13
IRF7313
17 parâmetros
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Cobrar
22nC
Corrente de drenagem
6.5A
Equivalentes
IRF7313PBF
Função
Transistor N MOSFET
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Polaridade
unipolar
Potência
2W
Quantidade por caixa
2
Resistência térmica
62.5K/W
RoHS
sim
Tecnologia
HEXFET®
Tensão da fonte de drenagem
30V
Tensão de fonte de porta
20V, ±20V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies