Transistor de canal N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 4.9A. Idss (máx.): 25uA. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Cobrar: 16.7nC. Corrente de drenagem: 4.9A. Função: 0.05R. IDss (min): 1uA. Id(im): 20A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Quantidade por caixa: 2. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tecnologia: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 02/01/2026, 11:56