Transistor de canal N IRF730, TO-220, 400V, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220AB, 400V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. C (pol.): 700pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 530pF. Cobrar: 38nC. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 5.5A. Corrente de drenagem: 3.5A, 5.5A. Custo): 170pF. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação de alta velocidade. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 5.5A. IDss (min): 25uA. Id(im): 22A. Marcação do fabricante: IRF730. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Polaridade: unipolar. Potência: 74W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 1 Ohm. RoHS: sim. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Tensão da fonte de drenagem: 400V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:08