Transistor de canal N IRF7201PBF, SO8, 30 v
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Transistor de canal N IRF7201PBF, SO8, 30 v. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 550pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 7.3A. Marcação do fabricante: F7201. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:45
IRF7201PBF
16 parâmetros
Carcaça
SO8
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
30 v
Atraso de desligamento tf[nsec.]
21 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
550pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.03 Ohms @ 7.3A
Dissipação máxima Ptot [W]
2.5W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
7.3A
Marcação do fabricante
F7201
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
7 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier