Transistor de canal N IRF7103PBF, SO8, 50V
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Transistor de canal N IRF7103PBF, SO8, 50V. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 290pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 3A. Marcação do fabricante: F7103. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22
IRF7103PBF
16 parâmetros
Carcaça
SO8
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
50V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
70 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
290pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.13 Ohms @ 3A
Dissipação máxima Ptot [W]
2W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
3A
Marcação do fabricante
F7103
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
20 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
International Rectifier