Transistor de canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 50V. Função: 2xN-CH 50V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27